半导体微腔物理研究进展

近年来，随着现代超薄层材料生长技术(以分子束外延MBE和金属有机化合物汽相淀积MOCVD等技术为典型代表)和各种超精细加工技术的发展，小尺度半导体微腔(Semiconductor Microcavity)的研究引起人们的兴趣。尤其是1992年Weisbuch等人首先在半导体平面微腔中观察到光与激子强耦合相互作用引起的Rabi分裂后，半导体微腔中腔量子电动力学现象(CQED)已成为近年来研究的热点。本文从微腔中的自发辐射现象，Rabi振荡，微腔极化激元等原理和概念出发对半导体微腔量子电动力学的基本原理做了概要介绍。同时对目前引起业界广泛关注的固体中玻色-爱因斯坦凝聚现象，以及极化激元激光的产生原理、相关实验及研究进展进行了概要介绍。