GCNMOS结构IO引脚ESD保护电路设计
GCNMOS structure ESD protect design for IO pin
介绍了IO引脚和地之间ESD保护电路的意义，介绍了一种应用于IO引脚和地之间用于泄放ESD电荷的结构：GCNMOS (栅极耦合NMOS),分析了GCNMOS的工作原理，在此基础上通过对电路参数调整，设计版图并流片，对不同参数取值的芯片TLP测试决定电路参数的合适值
escribe the function of ESD discharge path between IO pin and ground. Introduce a kind of ESD structure--GCNMOS ( gate coupled NMOS) and analyse GCNMOS work theory. By adjust parameter of the resistor , layout , tapeout and TLP test to choose reasonable resistor value.
杭金华、周健军
微电子学、集成电路电子电路
栅极耦合 静电泄放 传输线脉冲 接口
GCNMOS ESD TLP IO
杭金华,周健军.GCNMOS结构IO引脚ESD保护电路设计[EB/OL].(2014-08-22)[2025-08-16].http://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201408-219.点此复制
评论